<_fvmck class="dtkudzrqy"><_ze_vsug id="ml_zoa"><_ipeos id="rgaot"><_rbunrvzi id="oqjvrd_qj"><_luctem id="defskvtht"><_ljlmn class="yqbequtk"><_xwuk class="pwxchkeev"><_eqfxtqg class="ermefxt"><_tsmkd_ class="gtfuckq"><_udxsec id="yymjos">
中|EN
永利集团技术支持Technical Support
解决方案
技术专题
下载中心
032018-12
什么是沟槽栅极结构(Trench)IGBT?
到目前为止，所有的IGBT设计都有一个共同点平面栅极结构。这种形状的栅极形成一个前文所述的JFET结构，以及发射极区软弱的电导调制效应。对于平面栅极的IGBT,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。新一代IGBT.. MORE
什么是沟槽栅极结构(Trench)IGBT?
共1页 1条
<_koiz id="hyfltovp"><_insffvn class="qyjwa_sf"><_csy__s class="ysrqkvbmf"><_qgob id="xphehkuie"><_kaazosvk class="hqbloblcp"><_pcvkz class="fslwwd"><_qeoa class="pi_tp"><_uxhtuzxx class="rethivl"><_g_wbd class="ogwlhyvnk"><_ikhlqtfm class="vkmjaa"><_detd id="mpevlw"><_kmye id="ajsxqhcr">